Sperrschicht-Transistor
| Der Aufbau eines npn-Transistors | Ein Sperrschicht-Transistor ist ein bipolarer Transistor. Er besteht aus drei Schichten unterschiedlich dotierten Halbleiter-Materials. Das n-dotierte Material enthält freie Elektronen (n = negativ), das p-dotierte Material enthält Löcher (p = positiv), d.h. es fehlen Elektronen. Je nach Anordnung der Schichten: npn- (im Bild links) bzw. pnp-Transistoren. | ||
| B = Basis | E = Emitter | C = Kollektor | |
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| NPN | PNP | ||
| Arbeitsweise eines npn-Transistors | |
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| Transistor gesperrt | Transistor leitend |
| Transistor gesperrt (links) Betriebsspannung zwischen Kollektor und Emitter, an der Basis null Volt: Der Transistor wirkt wie ein unendlich hoher Widerstand, es fließt kein Strom zwischen Kollektor und Emitter. Transistor leitend (rechts) Bemerkungen |
| Transistor Grundschaltungen | |||
| Schaltung | Emitter | Basis | Kollektor |
| Eingangs- widerstand re |
100 Ω ... 10 kΩ | 10 Ω ... 100 Ω | 10 kΩ ... 100 kΩ |
| Ausgans- widerstand ra |
1 kΩ ... 10 kΩ | 10 kΩ ... 100 kΩ | 10 Ω ... 100 Ω |
| Spannungs- verstärkung vU |
20 ... 100 fach | 100 ... 1000 fach | 1 |
| Gleichstrom- verstärkung B |
10 ... 50 fach | <1 | 10 ... 4000 fach |
| Phasen- verschiebung |
180° | 0° | 0° |
| Temperatur- abhängigkeit |
groß | klein | klein |
| Leistungs- verstärkung vP |
sehr groß | mittel | klein |
| Anwendungen | NF- und HF-Verstärker, Leistungsverstärker, Schalter |
HF-Verstärker | Anpassungsstufen, Impedanzwandler |
| Transistor Emitterschaltung |
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| Transistor Basisschaltung |
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| Transistor Schaltung |
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| Transistor Längsreglerschaltung |
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| Schmitt-Trigger Transistorschaltung |
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| Transistorschaltung astabil |
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| Transistorschaltung monostabil |
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